stm32的晶振电路

在STM32中，晶振电路是用于提供系统时钟的关键部分。以下是关于STM32晶振电路的详细信息和设计要点：

1. 晶振类型和用途 ：

HSI（高速内部时钟） ：频率为8MHz，由内部RC振荡器产生。

HSE（高速外部时钟） ：频率范围为4MHz~16MHz，可以接石英/陶瓷谐振器或外部时钟源。

LSI（低速内部时钟） ：频率为40kHz，由内部RC振荡器产生。

LSE（低速外部时钟） ：频率为32.768kHz，使用外部晶振。

PLL（锁相环倍频输出） ：输入源可选择HSI/2、HSE或HSE/2，倍频可选择2~16倍，输出频率最大不得超过72MHz。

2. 晶振电路设计 ：

外部晶体振荡电路 ：通常使用8MHz晶振，提供系统时钟。晶振频率 = 8MHz，晶振周期 = 1 / 8MHz = 0.125us。如果需要一个1秒的周期，需要8000000个晶振周期。

晶振电路组成 ：晶振连接在芯片晶振引脚的输入和输出之间，形成一个并联谐振回路。晶振旁边的两个电容需要接地，形成电容三点式电路的分压电容。这两个电容的容量一般较小，需要外接两个负载电容以适应较宽的振荡频率范围。

负载电容 ：负载电容值的选择对晶振的谐振频率有重要影响。一般晶振的负载电容为15p或12.5p，如果考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路是较好的选择。

并联电阻 ：并联电阻与石英晶体谐振器并联连接，用于频率调节和确保晶振稳定启动。并联电阻的值会影响晶振的振荡频率，并且需要根据具体应用进行选择。

3. 注意事项 ：

匹配电容 ：确保晶振回路的负载电容值与晶振手册中提供的负载电容值相匹配，以保证晶振标称的谐振频率。

负性阻抗 ：晶振回路中的负性阻抗应大于晶振最大等效串联电阻ESR的3倍以上，对于高速晶振，需要是5倍以上，以确保晶振稳定启动和运行。

环境适应性 ：在环境恶劣的情况下，内部晶振可能无法满足要求，此时需要使用外部晶振，甚至是有源晶振。

通过以上设计要点和注意事项，可以确保STM32系统时钟的稳定性和精度，满足不同应用场景的需求。

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